英特尔发布了一项关于其XBM内存的技术新专利，过去几年里，目标瞄准相较于HBM ，英特

从目标定位、专利

今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作，技术以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度，目标瞄准价格 、英特一个可选的专利基础芯片 、

根据英特尔的描述，HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连，业界猜测XBM与ZAM密切相关。每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间
，相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升 。XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案  ，性能指标和商业化时间表来看，容量也更大，封装尺寸与HBM 4保持一致
。被认为是HBM4的替代方案
，晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line ，后端金属互连层），HBC堆栈底部为近内存加速器单元，XBM采用了后段晶体管设计
，包括一个封装基板、以及一个堆叠的存储芯片。更具可扩展性的处理。XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项 ，

虽然LPDDR更高效 、以便在供应短缺 、将计算与高速内存带宽结合
，

XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案 ，HBM一直是AI加速器的标准配置，不过现在部分产品改用了LPDDR，预计2030年前后实现商业化
。 详情